شركة سامسونج الكورية الجنوبية تفجر ثورة في عالم التكنولوجيا بعد أن أزالت الستار عن ابتكارها شريحة مزودة بذاكرة وصول عشوائية “رام” بسعة تصل إلى 24 جيجابايت، ومن جانبها أكدت الشركة المصنعة أن هذه الشريحة “GDDR7” بسعتها وسرعتها الرائدة التي تتجاوز 40 جيجابايت في الثانية الواحدة تعد إنجاز كبير في عالم الحوسبة يسجل باسم شركة سامسونج.
حيث يمكن للشريحة بسعة تخزينها الكبيرة تشغيل التطبيقات المستقبلية التي تعمل بتقنيات الذكاء الاصطناعي، وذلك من خلال دعم سرعات بطاقات الرسوميات والقيادة الذاتية وأجهزة الألعاب، ومن المقرر أن تباشر الشركة بإنتاج الشريحة بشكل فعلي في مطلع 2025 ميلادي.
كما صرح نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في شركة سامسونج السيد يونج تشول باي أنه: بعد أن نجحت سامسَنج في تطوير أول ذاكرة DRAM بسعة 16 جيجابايت في العام الفائت، عززت ريادتها التكنولوجية في سوق ذاكرة DRAM الرسومية بابتكار شريحة GDDR7، إضافة إلى ذلك تم تصميم الشريحة وفق تقنيات الجيل الخامس بمعيارية 10 نانومتر، الأمر الذي يسمح بزيادة كثافة الخلايا بنسبة تصل إلى 50 بالمائة، من دون أن يتغير حجم الحزمة عن سابقتها، كما تحسن كفاءة الطاقة بنسبة تفوق 30 بالمائة.
